Memoria principal: organización

Una memoria principal se compone de un conjunto de celdas básicas dotadas de una determinada organización. Cada celda soporta un bit de información. Los bits se agrupan en unidades direccionables denominadas palabras.

La longitud de palabra la determina el número de bits que la componen y constituye la resolución de la memoria (mínima cantidad de información direccionable). La longitud de palabra suele oscilar desde 8 bits (byte) hasta 64 bits.

Cada celda básica es un dispositivo físico con dos estados estables (o semi-estables) con capacidad para cambiar el estado (escritura) y determinar su valor (lectura). Aunque en los primeros computadores se utilizaron los materiales magnéticos como soporte de las celdas de memoria principal (memorias de ferritas, de película delgada, etc.) en la actualidad sólo se utilizan los materiales semiconductores.

Dentro de las memorias electrónicas de semiconductor podemos distinguir dos grandes grupos:

1. las estáticas (SRAM: Static Random Access Memory) y

2. las dinámicas (DRAM: Dynamic Random Access Memory). Las estáticas utilizan el principio de biestabilidad que se consigue con dos puertas inversoras (NAND ó NOR) realimentadas, mientras que las dinámicas aprovechan la carga o ausencia de carga de un pequeño condensador creado en un material semiconductor.

Debido a la descarga natural que sufren las celdas cargadas, las memorias dinámicas necesitan un sistema de refresco que periódicamente – y antes que la carga eléctrica del condensador se haga indetectable – recargue las celdas que se encuentran en estado de carga.

Desde un punto de vista conceptual y con independencia de la tecnología, consideraremos la celda básica de memoria como un bloque con tres líneas de entrada (entrada dato, selección y lectura/escritura) y una de salida (salida dato). La celda sólo opera (lectura ó escritura) cuando la selección está activa.

Fuente: Estructura de Computadores, Facultad de Informática, UCM